კომპონენტების დამუშავების სიზუსტე
მაღალი ხარისხის ფილტრები კომპონენტების დამუშავებისას უკიდურესად მაღალ სიზუსტეს მოითხოვს. ზომის, ფორმის ან პოზიციის მცირე გადახრებსაც კი შეუძლია მნიშვნელოვნად იმოქმედოს ფილტრის მუშაობასა და Q-ფაქტორზე. მაგალითად, ღრუს ფილტრებში ღრუს ზომები და ზედაპირის უხეშობა პირდაპირ გავლენას ახდენს Q-ფაქტორზე. მაღალი Q-ფაქტორის მისაღწევად, კომპონენტები უნდა დამუშავდეს მაღალი სიზუსტით, რაც ხშირად მოითხოვს წარმოების მოწინავე ტექნოლოგიებს, როგორიცაა ზუსტი CNC დამუშავება ან ლაზერული ჭრა. კომპონენტების სიზუსტისა და განმეორებადობის გასაუმჯობესებლად ასევე გამოიყენება დანამატური წარმოების ტექნოლოგიები, როგორიცაა შერჩევითი ლაზერული დნობა.

მასალის შერჩევა და ხარისხის კონტროლი
მაღალი ხარისხის ფილტრებისთვის მასალის შერჩევა კრიტიკულად მნიშვნელოვანია. ენერგიის დანაკარგის მინიმიზაციისა და სტაბილური მუშაობის უზრუნველსაყოფად საჭიროა დაბალი დანაკარგისა და მაღალი სტაბილურობის მქონე მასალები. გავრცელებული მასალები მოიცავს მაღალი სისუფთავის ლითონებს (მაგ., სპილენძი, ალუმინი) და დაბალი დანაკარგის მქონე დიელექტრიკებს (მაგ., ალუმინის კერამიკა). თუმცა, ეს მასალები ხშირად ძვირია და მათი დამუშავება რთულია. გარდა ამისა, მასალის შერჩევისა და დამუშავების დროს აუცილებელია მკაცრი ხარისხის კონტროლი, რათა უზრუნველყოფილი იყოს მასალის თვისებების თანმიმდევრულობა. მასალებში ნებისმიერმა მინარევმა ან დეფექტმა შეიძლება გამოიწვიოს ენერგიის დანაკარგი და Q-კოეფიციენტის შემცირება.

აწყობისა და რეგულირების სიზუსტე
აწყობის პროცესიმაღალი ხარისხის ფილტრებიუნდა იყოს ძალიან ზუსტი. კომპონენტები ზუსტად უნდა იყოს განლაგებული და აწყობილი, რათა თავიდან იქნას აცილებული შეუსაბამობა ან ხარვეზები, რამაც შეიძლება შეამციროს ფილტრის მუშაობა. მაღალი ხარისხის რეგულირებადი ფილტრებისთვის, რეგულირების მექანიზმების ფილტრის ღრუსთან ინტეგრაცია დამატებით სირთულეებს ქმნის. მაგალითად, MEMS რეგულირების მექანიზმების მქონე დიელექტრიკულ რეზონატორულ ფილტრებში, MEMS აქტივატორების ზომა გაცილებით მცირეა რეზონატორის ზომაზე. თუ რეზონატორი და MEMS აქტივატორები ცალ-ცალკე მზადდება, აწყობის პროცესი რთული და ძვირადღირებული ხდება, ხოლო მცირე შეუსაბამობებმა შეიძლება გავლენა მოახდინოს ფილტრის რეგულირების მუშაობაზე.

მუდმივი გამტარუნარიანობისა და რეგულირების მიღწევა
მაღალი Q სიხშირის მქონე, მუდმივი გამტარობის მქონე რეგულირებადი ფილტრის დიზაინი საკმაოდ რთულია. რეგულირების დროს მუდმივი გამტარობის შესანარჩუნებლად, გარე დატვირთული Qe პირდაპირ ცენტრალურ სიხშირეზე უნდა იცვლებოდეს, ხოლო რეზონატორებს შორის შეერთებები ცენტრალური სიხშირის უკუპროპორციულად უნდა იცვლებოდეს. ლიტერატურაში მოხსენიებული რეგულირებადი ფილტრების უმეტესობა ავლენს მუშაობის გაუარესებას და გამტარობის ვარიაციას. მუდმივი გამტარობის მქონე რეგულირებადი ფილტრების დიზაინისთვის გამოიყენება ისეთი ტექნიკა, როგორიცაა დაბალანსებული ელექტრული და მაგნიტური შეერთებები, მაგრამ პრაქტიკაში ამის მიღწევა კვლავ რთულია. მაგალითად, რეგულირებადი TE113 ორმოდიანი ღრუს ფილტრის მიერ მოწოდებული ინფორმაციით, მის რეგულირების დიაპაზონში 3000-ის მაღალი Q-ფაქტორი იქნა მიღწეული, მაგრამ მისი გამტარობის ვარიაცია მცირე რეგულირების დიაპაზონში მაინც აღწევდა ±3.1%-ს.

წარმოების დეფექტები და ფართომასშტაბიანი წარმოება
დამზადების ნაკლოვანებები, როგორიცაა ფორმა, ზომა და პოზიციური გადახრები, შეიძლება მოდას დამატებითი იმპულსი შესძინოს, რაც k-სივრცის სხვადასხვა წერტილში მოდების შეერთებას და დამატებითი გამოსხივების არხების შექმნას იწვევს, რითაც მცირდება Q-ფაქტორი. თავისუფალი სივრცის ნანოფოტონური მოწყობილობებისთვის, ნანოსტრუქტურულ მასივებთან დაკავშირებული უფრო დიდი დამზადების არეალი და მეტი დანაკარგიანი არხები ართულებს მაღალი Q-ფაქტორების მიღწევას. მიუხედავად იმისა, რომ ექსპერიმენტულმა მიღწევებმა აჩვენა 10⁹-მდე მაღალი Q-ფაქტორები ჩიპზე დამონტაჟებულ მიკრორეზონატორებში, მაღალი Q ფილტრების ფართომასშტაბიანი დამზადება ხშირად ძვირი და შრომატევადია. ვაფლის მასშტაბის ფილტრის მასივების დასამზადებლად გამოიყენება ისეთი ტექნიკა, როგორიცაა ნაცრისფერი ფერის ფოტოლითოგრაფია, მაგრამ მასობრივ წარმოებაში მაღალი Q-ფაქტორების მიღწევა კვლავ გამოწვევად რჩება.

კომპრომისი შესრულებასა და ღირებულებას შორის
მაღალი ხარისხის ფილტრები, როგორც წესი, საჭიროებენ რთულ დიზაინს და მაღალი სიზუსტის წარმოების პროცესებს უმაღლესი ხარისხის მუშაობის მისაღწევად, რაც მნიშვნელოვნად ზრდის წარმოების ხარჯებს. პრაქტიკულ გამოყენებაში საჭიროა ხარისხისა და ღირებულების დაბალანსება. მაგალითად, სილიციუმის მიკროდამუშავების ტექნოლოგია საშუალებას იძლევა დაბალი სიხშირის დიაპაზონებში რეგულირებადი რეზონატორებისა და ფილტრების დაბალფასიანი პარტიული დამზადების. თუმცა, მაღალი სიხშირის დიაპაზონებში მაღალი Q-ფაქტორების მიღწევა ჯერ კიდევ შეუსწავლელია. სილიციუმის RF MEMS რეგულირების ტექნოლოგიის ეკონომიურ ინექციური ჩამოსხმის ტექნიკასთან შერწყმა პოტენციურ გადაწყვეტას წარმოადგენს მაღალი ხარისხის ფილტრების მასშტაბირებადი, დაბალფასიანი წარმოებისთვის, მაღალი ხარისხის მუშაობის შენარჩუნებით.